企业速览
无锡新洁能股份有限公司（以下简称“新洁能”）成立于2013年，注册地位于江苏省无锡市，是一家专注于功率半导体芯片及器件研发、生产与销售的高新技术企业。公司于2021年在上交所科创板上市（股票代码：605111），2022年入选国家级专精特新“小巨人”企业名单。
主营产品
新洁能主营产品为功率半导体器件，主要包括：
- MOSFET系列：涵盖沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET等，电压范围覆盖12V-900V。
- IGBT：包括1200V及以下电压等级的IGBT单管及模块，主要应用于工业变频、新能源发电等领域。
- 第三代半导体器件：布局SiC肖特基二极管、SiC MOSFET及GaN HEMT，部分产品已实现量产或送样验证。
- 功率集成电路（Power IC）：如栅极驱动IC、电源管理芯片等，与分立器件形成协同。
产品形态包括单管芯片、封装成品及模组，广泛应用于消费电子（快充、适配器）、汽车电子（OBC、DC-DC）、工业控制（电机驱动、伺服）、光伏逆变、储能及通信电源等领域。
技术方向
新洁能坚持“自主芯片设计+先进封装”的技术路线，核心能力包括：
1. 芯片设计：掌握沟槽型、超结、屏蔽栅等主流MOSFET结构设计技术，并在IGBT领域实现IGBT芯片的自主设计与制造（外协代工）。
2. 工艺集成：与华虹宏力、长电科技等代工及封测伙伴深度合作，开发了低导通电阻、高开关速度的专用工艺平台。
3. 第三代半导体：在SiC方面，已推出1200V/650V系列SiC MOSFET，采用平面栅结构；在GaN方面，开发650V增强型GaN功率器件，瞄准高频电源市场。
4. 封装技术：具备TO-220、TO-247、PDFN、QFN等常规封装能力，并布局模块级封装（如IGBT模块、SiC半桥模块）。
市场定位
新洁能定位为国内功率半导体中高端市场供应商，主要对标国际品牌（如英飞凌、安森美、意法半导体）的同类产品，在性能（导通电阻、开关损耗、可靠性）上追求接近或持平。客户以国内电源、逆变器、汽车电子一级供应商为主，部分产品进入中兴通讯、汇川技术、阳光电源等知名企业供应链（公开信息）。在专精特新框架下，公司专注于“功率器件国产替代”赛道，尤其在光伏逆变、新能源汽车充电桩等领域，凭借快速响应和定制化服务实现份额增长。
发展特点
- 研发投入：2023年研发费用占营收比例约8%，重点投向SiC/GaN及车规级产品。
- 产能模式：采用Fabless+外协封测模式，与代工厂（华虹、先进半导体等）建立长期产能保障。
- 资质认证：通过IATF 16949汽车质量体系认证，部分产品通过AEC-Q101可靠性测试。
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